[发明专利]对沟槽和孔进行铜填充工艺的指导研究方法有效
申请号: | 201711208496.1 | 申请日: | 2017-11-27 |
公开(公告)号: | CN107993980B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 李远;潘杰;马亮;吕术亮;章星;万先进 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人: | 佟林松 |
地址: | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明涉及对沟槽和孔进行铜填充工艺的指导研究方法,包括:在特定沉积条件下,建立沉积偏压与金属铜的消减比之间的对应关系;保持特定沉积条件不变,建立沉积偏压与金属铜在沟槽或孔内的沉积刻蚀形貌的对应关系;通过对比偏压与金属铜的消减比之间的对应关系以及沉积偏压与金属铜在沟槽或孔内的沉积刻蚀形貌的对应关系,建立在特定沉积条件下消减比与金属铜在沟槽或孔内的沉积刻蚀形貌的对应关系;选择不同的消减比对沟槽或者孔进行铜填充。本发明提供的铜填充工艺,将填充结果与偏压进行准确关联,能有效地提高铜薄膜的台阶覆盖率。 | ||
搜索关键词: | 沟槽 进行 填充 工艺 指导 研究 方法 | ||
【主权项】:
对沟槽和孔进行铜填充工艺的指导研究方法,其特征在于,包括以下步骤:设定沉积条件,使用物理气相沉积机台对不同的基片进行铜沉积,分别算出不同沉积偏压P1~Pn下铜的消减比,建立沉积偏压与铜的消减比之间的对应关系(n为大于1的自然数);保持沉积条件不变,使用物理气相沉积机台对沟槽或孔进行铜沉积,分别测量不同沉积偏压P1~Pn下,沟槽或孔的顶端、侧壁和底部的沉积的铜薄膜的厚度,分别计算其台阶覆盖率,建立沉积偏压与金属铜在沟槽或孔内的沉积刻蚀形貌的对应关系;通过对比偏压与金属铜的消减比之间的对应关系以及沉积偏压与金属铜在沟槽或孔内的沉积刻蚀形貌的对应关系,建立在所述特定沉积条件下消减比与金属铜在沟槽或孔内的沉积刻蚀形貌的对应关系;选择不同的消减比,使用物理气相沉积机台一步或分步对沟槽或者孔进行铜填充。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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