[发明专利]对沟槽和孔进行铜填充工艺的指导研究方法

权利要求书

1.对沟槽和孔进行铜填充工艺的指导研究方法，其特征在于，包括以下步骤：

设定沉积条件，使用物理气相沉积机台对不同的基片进行铜沉积，分别算出不同沉积偏压P₁～P_n下铜的消减比，建立沉积偏压与铜的消减比之间的对应关系，n为大于1的自然数；

保持沉积条件不变，使用物理气相沉积机台对沟槽或孔进行铜沉积，分别测量不同沉积偏压P₁～P_n下，沟槽或孔的顶端、侧壁和底部的沉积的铜薄膜的厚度，分别计算其台阶覆盖率，建立沉积偏压与金属铜在沟槽或孔内的沉积刻蚀形貌的对应关系；

通过对比偏压与金属铜的消减比之间的对应关系以及沉积偏压与金属铜在沟槽或孔内的沉积刻蚀形貌的对应关系，建立在所述设定沉积条件下消减比与金属铜在沟槽或孔内的沉积刻蚀形貌的对应关系；

选择不同的消减比，使用物理气相沉积机台分步对沟槽或者孔进行铜填充；其中，建立沉积偏压与金属铜的消减比之间的对应关系的步骤包括：

利用公式EDR＝(THK D-THK DCE)/THK D计算某一沉积偏压下铜的消减比；

其中，EDR为沉积条件下，某一沉积偏压下铜的消减比；

THK D为沉积条件下，不加偏压时，铜在基片上的沉积厚度；

THK DCE为沉积条件下，先不加偏压沉积，然后再加载所述某一沉积偏压沉积时，铜在基片上的沉积厚度；其中，所述先不加偏压沉积的时间与所述再加载所述某一沉积偏压沉积的时间均与铜在基片上的沉积厚度THK D的形成时间相同。

2.如权利要求1所述的指导研究方法，其特征在于，

P₁～P_n的取值范围均位于0～1200W之间。

3.如权利要求1或2所述的指导研究方法，其特征在于，

所述沟槽或孔的线宽为20～30nm。

4.如权利要求1所述的指导研究方法，其特征在于，对沟槽或者孔进行铜填充的步骤包括：

根据消减比位于0.8～1之间、0.3～0.8之间以及0～0.3之间所对应的沉积刻蚀形貌，选择一种或多种消减比分别对沟槽或者孔进行铜填充。