[发明专利]制造半导体装置的方法

摘要

本揭示内容描述了一种硅化金属形成制程，其在金属沉积制程期间，通过施加基板偏电压以在硅‑锗源极/漏极区域中形成非晶层。例如，方法包括提供一基板，基板具有设置于其上的一栅极结构和与栅极结构相邻的一源极/漏极区域。形成一介电质于栅极结构和源极/漏极区域之上。形成一接触件开口于介电质中，以暴露出栅极结构的一部分和源极/漏极区域的一部分。形成一非晶层于源极/漏极区域的暴露部分中，其中非晶层具有基于施加到基板的一可调偏电压的一厚度和一组成。此外，执行一退火以形成一硅化金属于源极/漏极区域上。

主权项

1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：提供一基板，该基板具有设置于其上的一栅极结构；形成与该栅极结构相邻的一源极/漏极区域；形成一介电质于该栅极结构和该源极/漏极区域之上；形成一接触件开口于该介电质中，以暴露出该栅极结构的一部分和源极/漏极区域的一部分；形成一非晶层于该源极/漏极区域的该暴露部分中，其中该非晶层具有基于施加到该基板的一可调偏电压的一厚度；以及执行一退火以形成一硅化金属于该源极/漏极区域上。