[发明专利]TFT基板及其制造方法

摘要

一种TFT基板的制造方法。首先提供金属基底并在其上形成栅极绝缘层，得到第一初级结构。在第一初级结构上沉积形成石墨烯，石墨烯包括连接设置的第一石墨烯层及第二石墨烯层，第二石墨烯层与部分第一石墨烯层形成双层石墨烯用作有源层，双层石墨烯位于栅极绝缘层上。在石墨烯上形成有机绝缘层。再于有机绝缘层上形成底栅极，得到第二初级结构。将第二初级结构进行上下翻转，使底栅极位于最下层，金属基底位于最上层。蚀刻金属基底形成源极、顶栅极和漏极。源极及漏极与第一石墨烯层连接，降低源、漏极与双层石墨烯间的接触电阻。本发明还提供了一种TFT基板。

主权项

一种TFT基板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S101，提供金属基底，并在所述金属基底上形成栅极绝缘层，得到第一初级结构；步骤S102，在所述第一初级结构上沉积形成石墨烯，所述石墨烯包括连接设置的第一石墨烯层及第二石墨烯层，所述第二石墨烯层与部分所述第一石墨烯层形成双层石墨烯用作有源层，所述双层石墨烯位于所述栅极绝缘层上；步骤S103，于所述第一石墨烯层及所述第二石墨烯层上形成有机绝缘层；步骤S104，于所述有机绝缘层上形成底栅极，得到第二初级结构；步骤S105，将所述第二初级结构进行上下翻转，使所述底栅极位于最下层，所述金属基底位于最上层；步骤S106，蚀刻所述金属基底形成源极、顶栅极和漏极，其中，所述源极及所述漏极与所述第一石墨烯层连接，所述顶栅极与所述栅极绝缘层连接。