[发明专利]TFT基板及其制造方法

说明书

一种TFT基板的制造方法。首先提供金属基底并在其上形成栅极绝缘层，得到第一初级结构。在第一初级结构上沉积形成石墨烯，石墨烯包括连接设置的第一石墨烯层及第二石墨烯层，第二石墨烯层与部分第一石墨烯层形成双层石墨烯用作有源层，双层石墨烯位于栅极绝缘层上。在石墨烯上形成有机绝缘层。再于有机绝缘层上形成底栅极，得到第二初级结构。将第二初级结构进行上下翻转，使底栅极位于最下层，金属基底位于最上层。蚀刻金属基底形成源极、顶栅极和漏极。源极及漏极与第一石墨烯层连接，降低源、漏极与双层石墨烯间的接触电阻。本发明还提供了一种TFT基板。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种TFT基板及其制造方法。

背景技术

在有源矩阵显示技术中，每一个像素点都由集成在其后的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)进行驱动，从而可以实现高速度、高亮度、高对比度的屏幕显示效果。常见的TFT通常由栅极/源极/漏极(Gate/Source/Drain)三电极、绝缘层以及半导体层构成。

石墨烯，作为目前已知世界上最薄、最坚硬的纳米材料，因其具有良好的导电调控性，机械特性，导热特性，从而成为当前研究热点之一。石墨烯作为一种极薄导电率极高的新型材料，具有很大潜能被应用到电子元件/晶体管中。根据报道，石墨烯薄膜具有极低的方块电阻(100Ω/□)，然而经过掺杂之后，又可以形成宽带系的二维绝缘材料，因而石墨烯经过一定处理后，可形成n型或p型半导体的特性，可被应用到显示行业的TFT器件中。然而，该方法处理工艺调整困难，性能难以保证，应用到显示行业TFT器件较为困难。

发明内容

为了解决前述问题，本发明提供一种TFT基板及其制造方法。

一种TFT基板的制造方法，包括以下步骤：

步骤S101，提供金属基底，并在所述金属基底上形成栅极绝缘层，得到第一初级结构；

步骤S102，在所述第一初级结构上沉积形成石墨烯，所述石墨烯包括连接设置的第一石墨烯层及第二石墨烯层，所述第二石墨烯层与部分所述第一石墨烯层形成双层石墨烯用作有源层，所述双层石墨烯位于所述栅极绝缘层上；

步骤S103，于所述第一石墨烯层及所述第二石墨烯层上形成有机绝缘层；

步骤S104，于所述有机绝缘层上形成底栅极，得到第二初级结构；

步骤S105，将所述第二初级结构进行上下翻转，使所述底栅极位于最下层，所述金属基底位于最上层；

步骤S106，蚀刻所述金属基底形成源极、顶栅极和漏极，其中，所述源极及所述漏极与所述第一石墨烯层连接，所述顶栅极与所述栅极绝缘层连接。

进一步地，在所述步骤S101中，包括以下步骤：

提供所述金属基底，并于所述金属基底上沉积形成无图形的无机绝缘层；

于所述无机绝缘层上形成图形化的第一光阻层；

通过固化工艺形成图形化的所述栅极绝缘层；

剥离所述第一光阻层形成所述第一初级结构。

进一步地，在所述步骤S106中，包括以下步骤：于所述金属基底远离所述栅极绝缘层的一面上形成图形化的第二光阻层；对所述金属基底进行蚀刻，得到所述源极、所述顶栅极和所述漏极；剥离所述第二光阻层。

进一步地，所述金属基底的材料为铜、或镍。

进一步地，所述栅极绝缘层的材料为二氧化硅、氧化钇、二氧化铪中的一种。

进一步地，所述有机绝缘层的材料为聚甲基丙烯酸甲酯。

进一步地，在步骤S102中，通过等离子增强化学气相沉积法沉积所述石墨烯。