[发明专利]酸槽制程干燥能力的验证方法及验证装置有效
| 申请号： | 201711165461.4 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN107993962B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 李君;蒋杨波;吴关平;吴稼祺;郑晓芬 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 11619 北京辰权知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘广达<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种酸槽制程干燥能力的验证方法，其特征在于：提供经过湿法刻蚀的晶圆；向晶圆通入用于干法刻蚀的气体；使气体与晶圆中的残留水发生反应，以在晶圆表面聚积为稠密缺陷；统计稠密缺陷的量；基于稠密缺陷的量，判断残留水的量；以及以及基于残留水的量，判断酸槽制程干燥能力。通过该方法可以容易的测定出晶圆干燥之后的残留水的量。 | ||
| 搜索关键词： | 酸槽制程 干燥 能力 验证 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种酸槽制程干燥能力的验证方法，其特征在于：/n提供经过湿法刻蚀的晶圆；/n向所述晶圆通入用于干法刻蚀的气体；/n使所述气体与所述晶圆中的残留水发生反应，以在所述晶圆表面聚积为稠密缺陷；/n统计所述稠密缺陷的量；/n基于所述稠密缺陷的量，判断所述残留水的量；以及/n基于所述残留水的量，判断所述酸槽制程干燥能力。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
