[发明专利]用于电力电子器件的基于III-N的基材及其制造方法有效
| 申请号： | 201711160172.5 | 申请日： | 2017-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN108346694B | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 赵明 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/15;H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 郭辉 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于电力电子器件的基于III‑N的基材，其包括：基底、在基底上的III‑N层叠体、以及在基底和III‑N层叠体之间的缓冲层结构。缓冲层结构至少包括第一超晶格层叠体、以及在第一超晶格层叠体上的第二超晶格层叠体。第一超晶格层叠体包括由多个第一AlGaN层组成的第一超晶格单元的重复。第二超晶格层叠体包括由多个第二AlGaN层组成的第二超晶格单元的重复。第一超晶格层叠体的平均铝含量比第二超晶格层叠体的平均铝含量大预定差值，以改进垂直击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电力 电子器件 基于 iii 基材 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.用于电力电子器件的基于III‑N的基材，其包括：基底、在基底上的III‑N层叠体、以及在基底和III‑N层叠体之间的缓冲层结构，其中缓冲层结构至少包括第一超晶格层叠体、以及在第一超晶格层叠体上方的第二超晶格层叠体；第一超晶格层叠体包括重复的由多个第一AlGaN层构成的第一超晶格单元，各第一AlGaN层由AlxGa1‑xN制成，其中0≦x≦1，并且在所述多个第一AlGaN层之间x是不同的；第二超晶格层叠体包括重复的由多个第二AlGaN层构成的第二超晶格单元，各第二AlGaN层由AlyGa1‑yN制成，其中0≦y≦1，并且在多个第二AlGaN层之间y是不同的；并且第一超晶格层叠体的平均铝含量比第二超晶格层叠体的平均铝含量大预定差值。
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