[发明专利]一种无介质膜的倒装发光二极管芯片及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201711158970.4 申请日: 2017-11-20
公开(公告)号: CN107958945B 公开(公告)日: 2020-07-03
发明(设计)人: 赵炆兼;贾钊 申请(专利权)人: 扬州乾照光电有限公司
主分类号: H01L33/14 分类号: H01L33/14;H01L33/46;H01L33/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王宝筠
地址: 225101 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种无介质膜的倒装发光二极管芯片及其制作方法,包括:位于所述键合层背离所述背面电极层一侧的镜面反射层,所述镜面反射层内设置有多个欧姆接触点;位于所述镜面反射层背离所述背面电极层一侧的电流扩展层,所述欧姆接触点与所述电流扩展层之间欧姆接触。由上述内容可知,本发明提供的技术方案,无需在镜面反射层与电流扩展层之间设置介质膜,通过在镜面反射层内设置与电流扩展层实现欧姆接触的欧姆接触点,在保证倒装发光二极管芯片实现了良好的电流扩展外,对镜面反射层的反射效果不造成影响,进而能够避免发光外延层出光被介质膜吸收的情况出现,提高倒装发光二极管芯片的出光亮度。
搜索关键词: 一种 介质 倒装 发光二极管 芯片 及其 制作方法
【主权项】:
一种无介质膜的倒装发光二极管芯片,其特征在于,包括:背面电极层;位于所述背面电极层一侧表面衬底层;位于所述衬底层背离所述背面电极层一侧的键合层;位于所述键合层背离所述背面电极层一侧的镜面反射层,所述镜面反射层内设置有多个欧姆接触点;位于所述镜面反射层背离所述背面电极层一侧的电流扩展层,所述欧姆接触点与所述电流扩展层之间欧姆接触;位于所述电流扩展层背离所述背面电极层一侧的发光外延层;以及,位于所述发光外延层背离所述背面电极层一侧的主电极。
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