[发明专利]晶圆传送装置、晶圆传送装置的控制方法及晶圆加工设备有效
申请号: | 201711111868.9 | 申请日: | 2017-11-10 |
公开(公告)号: | CN109786297B | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种晶圆传送装置、晶圆传送装置的控制方法及晶圆加工设备,涉及半导体制造技术领域,其中,该晶圆传送装置包括传送腔、氮气输出器,以及设置在传送腔入口处的密闭闸门;氮气输出器用于在晶圆进入传送腔的过程中,至密闭闸门关闭之前,向传送腔充入氮气,且使传送腔内的气压高于传送腔外的气压。解决了现有技术中存在的水汽及微尘颗粒掉落在晶圆上导致晶圆的产品良率下降的技术问题,能够改善产品的良率。 | ||
搜索关键词: | 传送 装置 控制 方法 加工 设备 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆传送装置,其特征在于,包括:传送腔,作为大气与真空的转换通道,连接大气空间和真空空间,用于临时放置待传送的晶圆;氮气输出器,连接氮气供应装置以及所述传送腔,用于向所述传送腔充入氮气;以及密闭闸门,设置在所述传送腔的入口处;其中,在晶圆进入所述传送腔的过程中,至所述密闭闸门关闭之前,所述氮气输出器向所述传送腔充入氮气,使所述传送腔内的气压高于所述传送腔外的气压。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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