[发明专利]化学气相沉积设备及成膜方法

摘要

本发明公开了一种化学气相沉积设备及其用于成膜的方法，通过在所述基座下方加装导体线圈，所述导体线圈接通交流电后，产生交变磁场引发涡流效应对所述基座Susceptor进行加热，使所述基座Susceptor受热更均匀同时交变磁场作用于所述基座Susceptor上方等离子体Plasma，使等离子体Plasma更均匀，在所述基体上方沉积薄膜单一性更好，改善薄膜的Mura现象，改善化学气相沉积的膜质，提升良率。

主权项

一种化学气相沉积设备，其特征在于，包括：相互平行的第一电极板和第二电极板，所述第一电极板接射频电源，所述第二电极板接地；一基体，用于承载化学气相沉积所形成的薄膜，所述基体放置于所述第一电极板和所述第二电极板间；一线圈载体，所述线圈载体位于所述基体下方，所述线圈载体上设有导体线圈。