[发明专利]一种用于3D NAND存储器的存储层薄膜厚度测量方法有效
| 申请号： | 201711059141.0 | 申请日： | 2017-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN107816949B | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 陈子琪 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G01B11/06 | 分类号： | G01B11/06;H01L27/11524 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种存储层薄膜厚度测量方法，该方法通过在非存储器件的层叠结构上蚀刻形成存储层厚度测量槽，将3D NAND存储器的存储层薄膜厚度的测量转换为厚度测量槽内的存储层薄膜厚度的测量，因厚度测量槽内的存储层薄膜厚度可以通过椭偏光谱仪完成测量，而利用椭偏光谱仪测量薄膜厚度的技术为非破坏性无损测量技术，从而实现对3D NAND存储器中的存储层薄膜厚度的无损快速测量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 dnand 存储器 存储 薄膜 厚度 测量方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于3D NAND存储器的存储层薄膜厚度测量方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有由氧化硅层和氮化硅层交替层叠的堆叠结构，所述衬底包括存储器件区和非存储器件区；刻蚀位于存储器件区的堆叠结构，形成沟道孔；刻蚀位于非存储器件区的堆叠结构，形成存储层厚度测量槽；所述存储层厚度测量槽的横断面能够容纳椭偏光谱仪产生的整个聚焦光斑；在所述沟道孔以及所述存储层厚度测量槽内沉积存储层，所述存储层包括：隧穿层、电荷陷阱层以及阻挡层；通过反射式光谱椭偏测量方法测量沉积在所述存储层厚度测量槽内的存储层各层薄膜厚度；根据沉积在沟道孔内的存储层各层薄膜层厚度与沉积在存储层厚度测量槽内的对应的各层薄膜层厚度相同的关系，获取沉积在沟道孔内的存储层各层薄膜厚度，所述沉积在沟道孔内的存储层各层薄膜厚度为3D NAND存储器的存储层各层薄膜厚度。
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