[发明专利]半导体装置

摘要

提供一种半导体装置，其中，晶体管部以及二极管部这两者具有：第二导电型的基区，其在半导体基板的内部设置于漂移区的上方；多个沟槽部，其从半导体基板的上表面贯通基区地设置，并且在内部设置有导电部；以及台面部，其夹在沟槽部之间，晶体管部在各台面部具有设置于基区与漂移区之间的一个以上的第一导电型的积累区，二极管部在各台面部具有设置于基区与漂移区之间的一个以上的第一导电型的高浓度区，晶体管部的至少一部分的台面部中的一个以上的积累区的积分浓度比二极管部的台面部中的一个以上的高浓度区的积分浓度高。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板，其具有第一导电型的漂移区；晶体管部，其设置于所述半导体基板；以及二极管部，其设置于所述半导体基板，所述晶体管部以及所述二极管部这两者具有：第二导电型的基区，其在所述半导体基板的内部设置于所述漂移区的上方；多个沟槽部，其以从所述半导体基板的上表面贯通所述基区的方式设置，且在内部设置有导电部；以及台面部，其夹在沟槽部之间，所述晶体管部在各所述台面部具有一个以上的第一导电型的积累区，所述一个以上的第一导电型的积累区设置于所述基区与所述漂移区之间，且掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高，所述二极管部在各所述台面部具有一个以上的第一导电型的高浓度区，所述一个以上的第一导电型的高浓度区设置于所述基区与所述漂移区之间，且掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高，将所述晶体管部的至少一部分的所述台面部中的一个以上的所述积累区的掺杂浓度在所述半导体基板的深度方向上积分得到的积分浓度比将所述二极管部的所述台面部中的一个以上的所述高浓度区的掺杂浓度在所述半导体基板的深度方向上积分得到的积分浓度高。