[发明专利]钴填充金属化的器件和方法在审
| 申请号： | 201711026477.7 | 申请日： | 2017-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN108206158A | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | V·卡米奈尼;J·凯利;P·埃杜苏米利;O·范德斯特拉滕;B·普拉纳萨蒂哈伦 | 申请（专利权）人： | 格芯公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 李峥;于静 |
| 地址： | 开曼群岛*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及钴填充金属化的器件和方法。提供了通过钴填充金属化制造集成电路器件的器件和方法。一种方法例如包括：提供具有至少一个沟槽的中间半导体器件；在所述器件上形成至少一个半导体材料层；在第二层上沉积第一钴(Co)层；以及对所述器件执行退火回流工艺。还提供了中间半导体器件。中间半导体器件例如包括：形成在所述器件内的至少一个沟槽，所述沟槽具有底部和侧壁；设置在所述器件上的至少一个半导体材料层；设置在所述至少一个半导体材料层上的第一钴(Co)层，其中所述至少一个半导体材料层至少包括第一半导体材料和第二半导体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体材料层 中间半导体器件 填充金属 半导体材料 集成电路器件 退火 器件执行 侧壁 沉积 制造 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：提供具有至少一个沟槽的中间半导体器件；在所述器件上形成至少一个半导体材料层；在所述至少一个半导体材料层上沉积第一钴(Co)层；以及对所述器件执行退火回流工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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