[发明专利]GaN基新型结构激光器及其制作方法在审
| 申请号： | 201711020759.6 | 申请日： | 2017-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN107742825A | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 孙慧卿;汪鑫;郭志友;张秀;侯玉菲;龚星;徐智鸿;刘天意 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/34 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人： | 林伟斌,郑永泉 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基新型结构激光器及其制作方法，所述GaN基新型结构激光器从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源区层、未掺杂的AlInGaN极化缓解层、电子阻挡层、上波导层、上限制层、欧姆接触层，以及位于衬底的下表面的n型欧姆电极。本发明所述GaN基新型结构激光器在有源区和电子阻挡层之间插入了一层未掺杂的AlInGaN，可以降低极化效应，缓解了有源区和电子阻挡层表面的部分压力，有助于增加载流子的有效势垒高度，从而有利于减少吸收损耗和阀值电流，使激光器的性能得到显著提升。 | ||
| 搜索关键词： | gan 新型 结构 激光器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基激光器，其特征在于，从下至上依次包括：衬底(1)、下限制层(2)、下波导层(3)、有源区层(4)、未掺杂的AlInGaN极化缓解层(5)、电子阻挡层(6)、上波导层(7)、上限制层(8)、欧姆接触层(9)，以及位于衬底(1)的下表面的n型欧姆电极(10)。
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