[发明专利]大面积拉曼增强基底的制备方法及其产品和应用有效
| 申请号： | 201711014808.5 | 申请日： | 2017-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN107761053B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 何丹农;尹桂林;卢静;金彩虹 | 申请（专利权）人： | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/18;C23C14/35;C23C14/58;C23C16/40;C23C16/56;C23C28/00;G01N21/65 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 | 代理人： | 董梅 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种大面积拉曼增强基底的制备方法及其产品和应用，所述方法包括：在光滑玻璃或者单晶硅片基底利用磁控溅射共溅射制备一层Ag纳米薄膜，以及在此基础上利用原子层沉积制备一层Al2O3纳米薄膜，在此技术之上再利用磁控溅射制备一层Ag纳米薄膜，然后在氮气保护下进行快速退火处理，最后再在此基础上利用原子层沉积制备一层Al2O3纳米薄膜。本发明制备工艺简单，其产品的拉曼增强效果优良，且适合于大面积制备。 | ||
| 搜索关键词： | 大面积 增强 基底 制备 方法 及其 产品 应用 | ||
【主权项】：
1.一种大面积拉曼增强基底的制备方法，其特征在于，对5cb分子具有优异增强效果的大面积拉曼增强基底，包含以下制备步骤：（1）利用磁控溅射在光滑玻璃或者单晶硅片基底上制备60‑100nm厚的Ag纳米薄膜；（2）利用原子层沉积法在上述基底上进一步制备一层2‑8nm厚Al2O3纳米薄膜；（3）再上述基底上进一步利用磁控溅射制备40‑60nm厚Ag纳米薄膜；（4）将上述基底在氮气氛围下，进行快速退火；（5）利用原子层沉积法在退火后的基底上进一步制备1‑5nm厚Al2O3纳米薄膜；通过沉积循环次数进行控制Al2O3的厚度控制，单次循环Al2O3的厚度为0.1nm。
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