[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法、显示装置在审
| 申请号： | 201711013826.1 | 申请日： | 2017-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN107611181A | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 李磊;樊君;李付强;刘泰洋 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 滕一斌 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。薄膜晶体管包括栅极图形、有源层图形和位于栅极图形和有源层图形之间的栅绝缘层；薄膜晶体管还包括第一导电图形、第二导电图形和位于第一导电图形和第二导电图形之间的第一中间绝缘层；其中，第一导电图形和第二导电图形分别为源极图形和漏极图形；第一中间绝缘层上设置有第一过孔，第二导电图形通过第一过孔与有源层图形连接。通过在源极图形与漏极图形之间设置第一中间绝缘层，有效避免了源极与漏极出现短接的现象。本发明用于显示装置中。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：栅极图形、有源层图形和位于所述栅极图形和所述有源层图形之间的栅绝缘层；所述薄膜晶体管还包括：第一导电图形、第二导电图形和位于所述第一导电图形和所述第二导电图形之间的第一中间绝缘层；其中，所述第一导电图形和所述第二导电图形分别为源极图形和漏极图形；所述第一中间绝缘层上设置有第一过孔，所述第二导电图形通过所述第一过孔与所述有源层图形连接。
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