[发明专利]硅基高电流传输比双达林顿晶体管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种硅基高电流传输比双达林顿晶体管及其制作方法，本发明的硅基高电流传输比双达林顿晶体管包括衬底层、N型硅外延层、二氧化硅钝化层、第一极基区、电极、第一级发射区、第二级基区、第二级发射区、集电区、氮化硅层和底层电极。本发明的硅基高电流传输比双达林顿晶体管的电流传输比相对于普通晶体管高出数倍，降低了后续电路的放大成本，为整机节约了体积。本发明的硅基高电流传输比双达林顿晶体管的制作方法，采用新结构及工艺制作出了硅基高电流传输比双达林顿晶体管，其电流传输比达到2000以上，解决了现有光电三极管对氦氖激光器作光源的光电响应较低，电流传输比低的技术问题。

主权项

1.一种硅基高电流传输比双达林顿晶体管，其特征在于：包括衬底层(1)、N型硅外延层(2)、二氧化硅钝化层(3)、第一极基区(4)、电极(5)、第一级发射区(6)、第二级基区(7)、第二级发射区(8)、集电区(9)、氮化硅层(10)和底层电极(11)，所述底层电极(11)、N型硅外延层衬底(1)、N型硅外延层(2)、二氧化硅钝化层(3)、氮化硅层(10)由下至上依次设置，所述第一极基区(4)、第二级基区(7)和集电区(9)设在N型硅外延层(2)上部，第一级发射区(6)和第二级发射区(8)分别设在第一极基区(4)和第二级基区(7)上，所述第一极基区(4)、第一级发射区(6)、第二级基区(7)、第二级发射区(8)、集电区(9)各自连接有电极(5)。