[发明专利]半导体装置的制造方法和半导体制造装置在审
| 申请号： | 201710865633.2 | 申请日： | 2017-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN107866724A | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 三井贵彦;山本荣一 | 申请（专利权）人： | 株式会社冈本工作机械制作所 |
| 主分类号： | B24B27/00 | 分类号： | B24B27/00;B24B21/00;B24B7/22;B24B55/06;B24B55/08;H01L21/02;H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 | 代理人： | 鹿屹,李雪春 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供半导体装置的制造方法和半导体制造装置，能使半导体晶片的厚度均匀并能在抑制端部崩碎的同时使半导体晶片薄化。所述半导体装置的制造方法包括在形成突出部(11)的半导体晶片(10)的表面(10a)涂布粘接剂(12)的工序(S20)；磨削半导体晶片(10)上涂布的粘接剂(12)的表面的工序(S30)；将涂布有粘接剂(12)的半导体晶片(10)的周围端部和粘接剂(12)一起修边的工序(S40)；将粘接剂(12)的表面被磨削且周围端部被修边的半导体晶片(10)借助粘接剂(12)张贴到支撑基板(13)的工序(S50)；以及磨削支撑基板(13)上张贴的半导体晶片(10)的背面(10b)的工序(S60)。这样，可以使半导体晶片(10)的厚度均匀。而且，在抑制半导体晶片(10)的端部崩碎的同时，可以使半导体晶片(10)薄化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括：在形成突出部的半导体晶片的表面涂布粘接剂的工序；磨削所述半导体晶片上涂布的所述粘接剂的表面的工序；将涂布有所述粘接剂的所述半导体晶片的周围端部和所述粘接剂一起修边的工序；将所述粘接剂的表面被磨削且所述周围端部被修边的所述半导体晶片借助所述粘接剂张贴到支撑基板的工序；以及磨削所述支撑基板上张贴的所述半导体晶片的背面的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社冈本工作机械制作所，未经株式会社冈本工作机械制作所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710865633.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：靶材组件的加工方法
- 下一篇：螺纹环规自动精密研磨机床
