[发明专利]一种半导体蚀刻技术生产石墨烯电芯极耳及其制作方法在审
| 申请号： | 201710844344.4 | 申请日： | 2017-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN107658414A | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 邱立凡 | 申请（专利权）人： | 上海增华电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01M2/26 | 分类号： | H01M2/26;C25F3/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201500 上海市金山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体蚀刻技术生产石墨烯电芯极耳，包括极耳，所述极耳的上下两端为波浪形结构，位于所述极耳的两端包覆有石墨烯，由于二维晶体在热力学上的不稳定性，所以不管是以自由状态存在或是沉积在基底上的石墨烯都不是完全平整，而是在表面存在本征的微观尺度的褶皱，故进行蚀刻技术可以确保石墨烯材料和正负极片密切结合，蚀刻的寻找比与均勻度就变的很重要，此类系统不但能在极低压条件下产生高密度电浆，并能可減少直流偏压之使用，因而降低或消除电浆所导致的元件损伤，而蚀刻速率也因离子密度的增加而增加，产能也可因而提高，提高生产率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 蚀刻 技术 生产 石墨 烯电芯极耳 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体蚀刻技术生产石墨烯电芯极耳，其特征在于：包括极耳(1)，所述极耳(1)的上下两端为波浪形结构，位于所述极耳(1)的两端包覆有石墨烯(2)。
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