[发明专利]锑化镓衬底及锑化物基Ⅱ类超晶格材料的表面清理方法

摘要

本发明锑化镓衬底及锑化物基Ⅱ类超晶格材料的表面清理方法，步骤一将样品装入高真空腔室，真空度高于1×10‑6Torr；步骤二将样品温度升至目标温度并保持；步骤三开启原子氢源的束流覆盖样品表面，持续1‑50分钟直至样品表面的氧化产物被完全去除，期间的真空度为1×10‑6‑1×10‑5Torr；步骤四关闭原子氢源，然后在同一真空系统中执行后续的材料生长工艺。本发明在较低的温度下，通过原子氢的辅助来进行表面氧化层及其他残余杂质的去除，避免了高温对材料表面或超晶格中各界面的损伤，清理之后材料表面粗糙度低，大大利于后续材料生长，并可获得更高的界面质量。

主权项

锑化镓衬底及锑化物基Ⅱ类超晶格材料的表面清理方法，其特征在于,包括以下步骤：步骤一：将样品装入高真空腔室，真空度高于1×10‑6Torr；步骤二：将样品温度升至目标温度并保持；步骤三：开启原子氢源的束流覆盖样品表面，持续1‑50分钟直至样品表面的氧化产物被完全去除，期间的真空度为1×10‑6‑1×10‑5Torr；步骤四：关闭原子氢源，然后在同一真空系统中执行后续的材料生长工艺。