[发明专利]基板处理方法及基板处理装置有效
| 申请号： | 201710800919.2 | 申请日： | 2017-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN107818912B | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 尾辻正幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 崔炳哲;向勇 |
| 地址： | 日本京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供基板处理方法及基板处理装置，该基板处理方法包括：基板保持工序，将基板保持为水平；液膜形成工序，向所述基板的上表面供给处理液，形成覆盖该基板的上表面的处理液的液膜；液膜去除区域形成工序，从所述处理液的液膜排除一部分处理液，在所述处理液的液膜形成液膜去除区域；液膜去除区域形成工序，从所述处理液的液膜排除一部分处理液，在所述处理液的液膜形成液膜去除区域；液膜去除区域扩大工序，将所述液膜去除区域向所述基板的外周扩大；氟化氢环境气体保持工序，与所述液膜去除区域扩大工序并行地，将所述液膜去除区域和所述处理液的液膜的边界周围的环境气体保持为含有氟化氢的蒸气的环境气体。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种基板处理方法，其中，包括：基板保持工序，将基板保持为水平；液膜形成工序，向所述基板的上表面供给处理液，形成覆盖该基板的上表面的处理液的液膜；液膜去除区域形成工序，从所述处理液的液膜排除一部分处理液，在所述处理液的液膜形成液膜去除区域；液膜去除区域扩大工序，将所述液膜去除区域向所述基板的外周扩大；氟化氢环境气体保持工序，与所述液膜去除区域扩大工序并行地，将所述液膜去除区域和所述处理液的液膜的边界周围的环境气体保持为含有氟化氢的蒸气的环境气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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