[发明专利]一种射频芯片高功率放大器的防静电保护电路有效
| 申请号： | 201710778000.8 | 申请日： | 2017-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN107493084B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 邓建元 | 申请（专利权）人： | 无锡泽太微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/52 | 分类号： | H03F1/52;H03F1/56;H03F3/189;H03F3/20;H02H9/04 |
| 代理公司： | 深圳市深联知识产权代理事务所(普通合伙) 44357 | 代理人： | 徐炫 |
| 地址： | 214000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种射频芯片高功率放大器的防静电保护电路，包括PA核心电路、PA输出匹配电路、ESD保护电路和电源开关电路，电源开关电路连接PA输出匹配电路；ESD保护电路包括二极管D1、二极管D2、MOS管N3和MOS管N4，二极管D1的阳极接地，二极管D1的阴极正向通过二极管D2连接MOS管N3的漏极，MOS管N3的源极连接MOS管N4的漏极，MOS管N4的源极接地，MOS管N3的栅极连接电源VDD，二极管D2的阴极依次正向通过二极管D3～二极管D9连接电源VDD，MOS管N4的栅极连接电源开关电路二极管D1的阴极连接PA核心电路，二极管D1的阴极通过PAD1连接PA输出匹配电路。该射频芯片高功率放大器的防静电保护电路具有设计科学、实用性强、结构简单、ESD性能高、成本低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射频 芯片 功率放大器 静电 保护 电路 | ||
【主权项】：
一种射频芯片高功率放大器的防静电保护电路，其特征在于：包括PA核心电路、PA输出匹配电路、ESD保护电路和电源开关电路，所述电源开关电路连接所述PA输出匹配电路；所述ESD保护电路包括二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5、二极管D6、二极管D7、二极管D8、二极管D9、PAD1、MOS管N3和MOS管N4，所述二极管D1的阳极接地，所述二极管D1的阴极正向通过所述二极管D2连接所述MOS管N3的漏极，所述MOS管N3的源极连接所述MOS管N4的漏极，所述MOS管N4的源极接地，所述MOS管N3的栅极连接电源VDD，所述二极管D2的阴极依次正向通过所述二极管D3、所述二极管D4、所述二极管D5、所述二极管D6、所述二极管D7、所述二极管D8和所述二极管D9连接电源VDD，所述MOS管N4的栅极连接所述电源开关电路，所述二极管D1的阴极连接所述PA核心电路，所述二极管D1的阴极还通过所述PAD1连接所述PA输出匹配电路。
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