[发明专利]一种LED芯片及其制备方法

摘要

本申请公开了一种LED芯片及其制备方法，其中，所述LED芯片制备方法在对衬底进行隐形切割之前，首先在衬底背离外延单元一侧表面形成ODR介质层，以避免全角度反射镜的ODR反射层对隐形切割激光的反射导致的隐形切割工艺无法进行的问题；然后再进行ODR反射层的制备，以和ODR介质层构成所述全角度反射层；最后对衬底进行劈裂，从而获得多个LED芯片，实现了将全角度反射镜与隐形切割技术结合以制备亮度较高的LED芯片的目的。并且由于隐形切割工艺介于ODR介质层和ODR反射层的形成工艺之间，避免了直接对衬底进行隐形切割而可能导致的破片率较高的问题，提升了LED芯片的制备良率。

主权项

1.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有外延结构，所述外延结构至少包括N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层；在所述外延结构上完成芯片端前段制程，以获得多个外延单元；对所述衬底背离所述外延结构一侧进行研磨抛光处理，以使所述衬底在垂直于所述外延结构的方向上的厚度为预设厚度；在所述衬底背离所述外延单元一侧表面形成全角度反射镜ODR介质层；对所述衬底进行隐形切割，以在所述衬底中形成多个切割痕迹，每个所述切割痕迹所在平面位于相邻所述外延单元之间；在所述ODR介质层背离所述衬底一侧表面形成ODR反射层，所述ODR反射层和所述ODR介质层构成全角度反射镜；利用所述多个切割痕迹对所述衬底进行劈裂，以获得多个LED芯片；所述在所述衬底背离所述外延单元一侧表面形成ODR介质层包括：在所述衬底背离所述外延单元一侧表面交替形成第一介质层和第二介质层，所述第一介质层的折射率与所述第二介质层的折射率的差值大于预设阈值；所述第一介质层和第二介质层为二氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层、氧化钛层、氧化铝层、氟化镁层和氧化铪层中的任意一层或多层；所述第一介质层为二氧化硅层；所述第二介质层为五氧化三钛层。