[发明专利]一种氮化硅层的制备方法有效
| 申请号： | 201710772290.5 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107564800B | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 张高升;曾庆锴;詹昶;王林;万先进 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/033;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 党丽;王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化硅的制备方法，采用等离子体增强化学气相沉积的方法沉积氮化硅，反应气体为硅烷和氨气，其中，沉积时采用高频功率，硅烷的流量范围为90‑110sccm，氨气的流量范围为1500‑1700sccm。该方法中，采用高频功率，降低沉积时残留的硅氢键，从而提高氮化硅的拉应力，同时，配合控制硅烷和氨气流量在合理的范围内，达到降低氮化硅的热收缩率的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化硅的制备方法，其特征在于，包括：采用等离子体增强化学气相沉积的方法沉积氮化硅，反应气体为硅烷和氨气，其中，沉积时采用高频功率，硅烷的流量范围为90‑110sccm，氨气的流量范围为1500‑1700sccm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
