[发明专利]沟槽的外延填充方法

摘要

本发明公开了一种沟槽的外延填充方法，包括如下步骤步骤一、形成沟槽；步骤二、进行第一次外延生长工艺并控制工艺时间使形成的外延层在沟槽中间形成一未封闭的狭缝；步骤三、通入HCL进行外延层刻蚀，HCL会流入到狭缝中并对狭缝两侧和底部的外延层进行刻蚀，随着狭缝的深度增加HCL流入的量越少刻蚀速率越慢并使刻蚀后的狭缝的宽度变大并形成有利于外延填充的宽度呈随深度的增加而减小的结构；步骤四、进行第二次外延生长工艺对狭缝进行外延填充；利用狭缝的宽度呈随深度的增加而减小的结构使第二外延生长工艺中工艺气体顺利达到狭缝的底部从而实现无空洞填充。本发明能实现无空洞填充，能防止空洞产生的器件失效并提高产品良率。

主权项

一种沟槽的外延填充方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一半导体晶圆并在所述半导体晶圆表面形成沟槽；步骤二、进行第一次外延生长工艺，所述第一外延生长工艺在所述沟槽的底部和两侧壁同时生长外延层，控制所述第一次外延成长工艺时间使所述第一次外延生长工艺形成的外延层在所述沟槽中间形成一未封闭的狭缝；步骤三、停止所述第一次外延生长工艺并通入HCL进行外延层刻蚀，所述外延层刻蚀中HCL会流入到所述狭缝中并对所述狭缝两侧和底部的外延层进行刻蚀，所述狭缝的结构使得越往所述狭缝的底部HCL到达的量越少，使所述外延层刻蚀速率随着所述狭缝的深度的增加而减慢并使所述外延层刻蚀后的所述狭缝的宽度变大且所述狭缝的宽度呈随深度的增加而减小的结构；步骤四、进行第二次外延生长工艺对所述狭缝进行外延填充从而将所述沟槽完全填充，利用所述狭缝的宽度呈随深度的增加而减小的结构使所述第二外延生长工艺中工艺气体顺利达到所述狭缝的底部从而实现无空洞填充。