[发明专利]一种3D NAND闪存中沟道结构的制作方法

摘要

本发明提供了一种3D NAND闪存中沟道结构的制作方法，通过将堆叠结构的刻蚀与硅外延层表面硅槽的形成相隔离的工艺步骤，在干法刻蚀工艺中，避免了使用氟基气体混合物作为等离子体刻蚀的刻蚀气体，从而避免对于沟道侧壁和硅外延层的破坏；同时也避免了使用高能离子轰击对于硅外延层的破坏，以及造成的硅外延层界面高度的不均匀性等问题；通过多晶硅和帽氧化物层的湿法去除，顺便形成了硅外延层表面的硅槽，能够有效控制浅硅槽的形成，从而获得好的二次多晶硅的沉积效果，避免了L脚缺陷的出现。通过上述工艺，能够获得更为良好和均匀的外延生长和二次多晶硅沉积效果，从而优化3D NAND闪存中的沟道结构，并提高了3D NAND闪存产品的整体性能。

主权项

1.一种3D NAND闪存中沟道结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：沉积衬底堆叠结构，具体为，提供衬底，在衬底的表面形成有多层交错堆叠的氧化硅层及氮化硅层，从而形成O/N堆叠结构(O/N Stacks)；刻蚀衬底堆叠结构，具体为，刻蚀衬底堆叠结构以形成贯穿至衬底的沟道，所述沟道通至所述衬底并形成一定深度的第一硅槽；形成硅外延层，具体为，在所述第一硅槽处进行硅的外延生长形成硅外延层(SEG)；形成沟道侧壁堆叠结构，具体为，在所述沟道的侧壁及硅外延层的表面上沉积沟道侧壁堆叠结构，所述沟道侧壁堆叠结构为ONOPO的堆叠结构，即第一氧化物层/氮化物层/第二氧化物层/一次多晶硅沉积层/帽氧化物层；刻蚀沟道侧壁堆叠结构，具体为，沿所述沟道侧壁堆叠结构的底壁垂直向下刻蚀，并截止于所述硅外延层表面；去除所述帽氧化物层和一次多晶硅沉积层，以露出沟道侧壁堆叠结构中的第二氧化物层，并在硅外延层表面形成浅硅槽；二次沉积多晶硅，在所述沟道侧壁堆叠结构的侧壁和浅硅槽的表面二次沉积多晶硅。