[发明专利]具有罩层的气隙互连以及形成的方法

摘要

公开了具有罩层的气隙互连结构和用于形成这种气隙互连结构的方法。提供了具有电介质层的衬底，该电介质层具有在其中形成的多个互连。每个互连被阻挡层密闭。在电介质层上形成硬掩膜，且图案化该硬掩膜以暴露出在相邻的互连之间的期望气隙的电介质层。蚀刻电介质层以形成沟槽，其中该蚀刻工艺另外蚀刻阻挡层的至少一部分，以暴露出每个相邻的铜互连的侧表面的一部分。将罩层化学镀到顶表面的暴露部分和侧表面的暴露部分上，以重新密封互连。在器件之上形成间隙密封电介质层，从而密封沟槽以形成气隙。

主权项

一种集成电路结构，包括：位于层间电介质层中的第一互连、沿着所述第一互连的底部和侧壁的第一阻挡层、以及沿着所述第一互连的顶表面的第一罩层，其中所述第一互连的所述第一罩层和所述第一阻挡层在所述第一互连的一个侧壁上会合；位于所述层间电介质层中的第二互连、沿着所述第二互连的底部和侧壁的第二阻挡层、以及沿着所述第二互连的顶表面的第二罩层，所述第二互连与所述第一互连横向相邻并且分开，其中所述第二互连的所述第二罩层和所述第二阻挡层在所述第二互连的两个侧壁上都会合；位于所述第一互连的一部分之上但不位于所述第二互连之上的硬掩膜层；共形衬层，所述共形衬层位于所述硬掩膜层上，位于所述第一罩层上，沿着所述第一互连的所述一个侧壁，位于所述第一互连与所述第二互连之间的层间电介质层上，沿着所述第二互连的一个侧壁，并且位于所述第二罩层上；位于沿着所述第一互连的所述一个侧壁的共形衬层与沿着所述第二互连的所述一个侧壁的共形衬层之间的气隙；以及位于所述共形衬层的一部分上的间隙密封层，所述间隙密封层位于所述气隙的上方。