[发明专利]发光二极管封装结构及其制作方法在审
申请号: | 201710706738.3 | 申请日: | 2012-06-13 |
公开(公告)号: | CN107293536A | 公开(公告)日: | 2017-10-24 |
发明(设计)人: | 叶寅夫;潘科豪 | 申请(专利权)人: | 亿光电子工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/48;H01L33/50 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 骆希聪 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提出一种发光二极管封装结构,包括一承载器、一发光二极管芯片、一第一环形挡墙、一第二环形挡墙以及一萤光胶体。发光二极管芯片电性连接至承载器。第一环形挡墙与第二环形挡墙围绕发光二极管芯片设置,第二环形挡墙设置于发光二极管芯片与第一环形挡墙之间。萤光胶体配置于承载器上且至少覆盖发光二极管芯片与第二环形挡墙,所述萤光胶体包括至少一种萤光粉及至少一种胶体混合而成,其中所述的萤光粉分布于发光二极管芯片的表面上。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种发光二极管封装结构,包括:一承载器,具有一承载区,以及一围绕该承载区的周边区;多个发光二极管芯片,配置于该承载器的该承载区内,且电性连接至该承载器;一第一环形挡墙,配置于该承载器的该周边区内,且围绕该些发光二极管芯片;一第二环形挡墙,配置于该第一环形挡墙的内侧,且围绕该些发光二极管芯片,其中该第二环形挡墙的高度低于该第一环形挡墙的高度,且高于该发光二极管芯片的高度;以及一胶体,配置于该承载器上且至少覆盖该发光二极管芯片与该第二环形挡墙;其中该第一环形挡墙和该第二环形挡墙皆具有不吸光且具有反射功能的特性。
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