[发明专利]一种晶圆级扇出型堆叠封装工艺方法有效
| 申请号： | 201710702492.2 | 申请日： | 2017-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN107481945B | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 姚大平;宋涛 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 陈博旸 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种晶圆级扇出型堆叠封装工艺方法，包括如下步骤：在透光临时基板上的高温键合胶层上贴附一层干性光阻膜；在所述干性光阻膜上形成多个直通高温键合胶层的盲孔；在所述干性光阻膜固化后，在所述盲孔内植入导电金属柱；在所述干性光阻膜表面贴装裸芯片；整体注塑并对塑封体的表面进行磨削直至将所述裸芯片的焊垫完全暴露；在所述塑封体的磨削面上制作用于连接所述导电金属柱和裸芯片的重布线层，所述重布线层上设置有通过植球和回流焊得到微凸点；去除所述透光临时基板和高温键合胶层，得到封装单元；根据所述封装单元得到扇出型堆叠封装结构。该发明简化了扇出型堆叠封装制造工艺，降低了堆叠封装的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆级扇出型 堆叠 封装 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆级扇出型堆叠封装工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：在透光临时基板上的高温键合胶层上贴附一层干性光阻膜；在所述干性光阻膜上形成多个直通高温键合胶层的盲孔；在所述干性光阻膜固化后，在所述盲孔内植入导电金属柱，所述导电金属柱的上表面高于所述干性光阻膜的上表面；在所述干性光阻膜表面贴装裸芯片，所述裸芯片的器件面低于所述导电金属柱的上表面；整体注塑并对塑封体的表面进行磨削直至将所述裸芯片的焊垫完全暴露；在所述塑封体的磨削面上制作用于连接所述导电金属柱和裸芯片的重布线层；去除所述透光临时基板和高温键合胶层，得到封装单元；根据所述封装单元得到扇出型堆叠封装结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
