[发明专利]半导体存储器装置有效
| 申请号： | 201710701372.0 | 申请日： | 2017-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN108122577B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 宮崎隆行 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据一个实施例，一种半导体存储器装置包含：第一绝缘层；全局位线及参考位线，其提供于所述第一绝缘层上；第二绝缘层，其提供于所述全局位线及所述参考位线上；选择栅极线，其提供于所述第二绝缘层上；第一晶体管，其提供于所述全局位线上；局部位线，其耦合到所述第一晶体管；第一及第二存储器胞元；及感测放大器。所述全局位线及所述参考位线经由所述第二绝缘层而与所述选择栅极线三维相交。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器装置，其包括：第一绝缘层，其提供于半导体衬底上方；全局位线，其提供于所述第一绝缘层上且在平行于所述半导体衬底的第一方向上延伸；参考位线，其提供于所述第一绝缘层上且在所述第一方向上延伸；第二绝缘层，其提供于所述全局位线及所述参考位线上；选定栅极线，其提供于所述第二绝缘层上且在平行于所述半导体衬底且不同于所述第一方向的第二方向上延伸；第一晶体管，其提供于所述全局位线上，所述第一晶体管的第一端耦合到所述全局位线，所述第一晶体管的栅极耦合到所述选择栅极线；局部位线，其耦合到所述第一晶体管的第二端且在垂直于所述半导体衬底的第三方向上延伸；第一及第二存储器胞元，其堆叠于所述半导体衬底上方且耦合到所述局部位线；及感测放大器，其包含耦合到所述全局位线的第一输入端子及耦合到所述参考位线的第二输入端子，所述感测放大器能够从所述第一及第二存储器胞元读取数据，其中所述全局位线及所述参考位线经由所述第二绝缘层而与所述选择栅极线三维相交。
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