[发明专利]低电压带隙基准源电路在审
| 申请号： | 201710668441.2 | 申请日： | 2017-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN107390758A | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 李天望;姜黎;袁涛;万鹏 | 申请（专利权）人： | 湖南国科微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 长沙市阿凡提知识产权代理有限公司43216 | 代理人： | 刘伟 |
| 地址： | 410125 湖南省长沙市*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种低电压带隙基准源电路，包括负温度系数电流产生电路，用于产生负温度系数电流；电压相减电路，用于对所述负温度系数电流产生的不同温度系数的电压进行相减运算。与相关技术相比，本发明提供的低电压带隙基准源电路具有如下有益效果可以输出1V以下的基准电压；工作电源电压低；基准电压的输出阻抗低，可以直接驱动阻性负载；省略了输出缓冲放大器。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 基准 电路 | ||
【主权项】：
一种低电压带隙基准源电路，其特征在于，包括：负温度系数电流产生电路，用于产生负温度系数电流；电压相减电路，用于对所述负温度系数电流产生的不同温度系数的电压进行相减运算；所述负温度系数电流产生电路包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第一运算放大器、第一三极管以及第一电阻；所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的源极分别连接电压源，所述第一PMOS管的栅极连接所述第二PMOS管的栅极和所述第一运算放大器的输出端，所述第一PMOS管的漏极连接所述第一三极管的发射极和所述第一运算放大器的负输入端；所述第二PMOS管的漏极连接所述第一运算放大器的正输入端和所述第一电阻的一端；所述第一三极管的基极和集电极连接形成二极管形式，所述第一三极管的基极和集电极连接所述第一电阻的另一端并接地；所述第一电阻的另一端接地；所述电压相减电路包括：第三PMOS管、第四PMOS管、第二运算放大器、第二电阻、第三电阻以及第二三极管；所述第三PMOS管的源极和所述第四PMOS管的源极分别连接电压源，所述第三PMOS管的栅极连接所述第一运算放大器的输出端和所述第四PMOS管的栅极，所述第三PMOS管的漏极连接所述第二三极管的发射极和所述第二运算放大器的正输入端；所述第四PMOS管的栅极连接所述第一运算放大器的输出端，所述第四PMOS管的漏极连接所述第二电阻的一端、所述第三电阻的一端以及所述第二运算放大器的负输入端；所述第二三极管的基极和集电极连接形成二极管形式，所述第二三极管的基极和集电极连接所述第一电阻的另一端并接地；所述第二电阻的另一端接地；所述第三电阻的另一端连接所述第二运算放大器的输出端。
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