[发明专利]一种GaNHEMTs功率器件向金刚石热沉转移方法

摘要

本发明公开了一种GaN HEMTs功率器件向金刚石热沉转移方法，通过在蓝宝石衬底上生长GaN HEMTs功率器件，然后采用Si晶片作为临时支撑材料生长在GaN HEMTs功率器件上，然后将蓝宝石衬底与GaN HEMTs功率器件分离，再通过热塑性粘合剂将Si晶片粘到GaN HEMTs功率器件上，最后将GaN HEMTs功率器件上的SI晶片剥离，从而得到金刚石热沉片GaN HEMTs功率器件，采用高热导率的金刚石做GaN HEMTs功率器件的热沉片，大大提高了GaN HEMTs功率器件高频、大功率应用时的散热能力，采用低温键合方法使GaN HEMTs功率器件高频、大功率应用时的散热问题和金刚石热沉片粘合，有效避免了传统的高温键合对器件性能的损伤。本方法转移工艺简单、容易实现、重复性好。

主权项

一种GaN HEMTs功率器件向金刚石热沉转移方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1)，在蓝宝石衬底上生长GaN HEMTs功率器件；步骤2)，在生长于蓝宝石衬底上的GaN HEMTs功率器件上端生长Si晶片，形成蓝宝石衬底/GaN HEMTs功率器件/Si晶片的三层结构；步骤3)，将步骤2)得到的蓝宝石衬底/GaN HEMTs功率器件/Si晶片三层结构去除蓝宝石衬底，得到GaN HEMTs功率器件/Si晶片两层结构；步骤4)，将GaN HEMTs功率器件/Si晶片两层结构GaN HEMTs功率器件表面与金刚石热沉片通过键合粘合剂键合、固化得到金刚石热沉片/GaNHEMTs功率器件/Si晶片三层结构；步骤5)，去除步骤4)得到的金刚石热沉片/GaN HEMTs功率器件/Si晶片中的Si晶片，即得到金刚石热沉片GaN HEMTs功率器件。