[发明专利]耐高温碳化硅欧姆接触结构制作方法及其结构

摘要

本发明涉及一种耐高温碳化硅欧姆接触结构制作方法，包括：选取SiC衬底；在所述SiC衬底表面生长SiC外延层；利用磁控溅射工艺在所述SiC外延层表面依次淀积Ni金属层、W金属层、TaSi2金属层及Pt金属层；快速退火形成所述耐高温碳化硅欧姆接触结构。本发明提供的耐高温碳化硅欧姆接触结构在高温、空气环境下有着良好热稳定性和电学特性。

主权项

一种耐高温碳化硅欧姆接触结构制作方法，其特征在于，包括：S101、选取SiC衬底；S102、在所述SiC衬底表面生长SiC外延层；S103、利用PECVD工艺在所述SiC外延层表面生长厚度为100nm的SiO2层；S104、利用刻蚀工艺刻蚀所述SiO2层，对所述SiC外延层进行N+离子或P+离子注入，相应形成掺杂浓度为1.0×1019cm‑3的N区或掺杂浓度为1.3×1020cm‑3的P区；S105、利用刻蚀工艺刻蚀剩余的所述SiO2层，在1700℃温度下退火30分钟；S106、利用磁控溅射工艺在所述SiC外延层表面淀积Ni金属层；其中，所述Ni金属层的厚度为淀积功率为100w、淀积速率为9.8nm/min、气流量为24Ar/sccm、腔内真空度为≤5e‑6mTorr；S107、利用磁控溅射工艺在所述Ni金属层表面淀积W金属层；其中，所述W金属层的厚度为淀积功率为100w、淀积速率为8.9nm/min、气流量为16Ar/sccm、腔内真空度为≤5e‑6mTorr；S108、利用磁控溅射工艺在所述W金属层表面淀积TaSi2金属层；其中，所述TaSi2金属层的厚度为淀积功率为60w、淀积速率为2.9nm/min、气流量为20Ar/sccm、腔内真空度为≤5e‑6mTorr；S109、利用磁控溅射工艺在所述TaSi2金属层表面淀积Pt金属层；其中，所述Pt金属层的厚度为淀积功率为100w、淀积速率为2.9nm/min、气流量为16Ar/sccm、腔内真空度为≤5e‑6mTorr；S110、将所述Ni金属层、所述W金属层、所述TaSi2金属层、所述Pt金属层进行快速退火以完成所述耐高温碳化硅欧姆接触结构的制作。