[发明专利]存储元件及其制造方法

摘要

本发明提供一种存储元件，包括：衬底、多个隔离结构、多个导体柱以及多个位线结构。衬底包括多个有源区。有源区排列成第一阵列。隔离结构位于衬底中且沿着Y方向延伸。各隔离结构设置在相邻两列的有源区之间。导体柱位于衬底上且排列成第二阵列。相邻两行的导体柱与排列成同一列的有源区接触，以形成第一接触区与第二接触区。多个位线结构沿着X方向平行配置于衬底上。各位线结构与排列成同一列的有源区接触，以于第一接触区与第二接触区之间形成第三接触区。

主权项

1.一种存储元件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底中形成多个第一隔离结构，所述第一隔离结构将所述衬底分隔成多个条状图案，所述条状图案可为弯曲型或直条型；在所述衬底中形成多个字线组，所述字线组沿着所述Y方向延伸并穿过所述第一隔离结构与所述条状图案，以将所述衬底分成多个第一区与多个第二区，其中所述第一区与所述第二区沿着所述X方向交替排列且所述字线组位于所述第一区中；在所述衬底上形成第一介电图案，所述第一介电图案覆盖所述字线组并暴露出所述第二区的所述衬底的表面；在所述第二区的所述衬底上形成导体层，所述导体层的顶面低于所述第一介电图案的顶面；在所述第二区的所述导体层与所述衬底中形成多个第二隔离结构，所述第二隔离结构沿着所述Y方向延伸并将所述条状图案分隔成多个有源区，其中所述有源区被配置为带状且排列成第一阵列；以及在所述衬底上形成多个位线结构，所述位线结构沿着所述X方向延伸并横跨所述字线组。