[发明专利]单晶硅生长炉钼导流筒及加工工艺在审
| 申请号： | 201710567885.7 | 申请日： | 2017-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN107227489A | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 符志椿 | 申请（专利权）人： | 符志椿 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 宝鸡市新发明专利事务所61106 | 代理人： | 席树文 |
| 地址： | 721000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 提供一种单晶硅生长炉钼导流筒及加工工艺。核心就是在钼金属板卷制的锥形筒的侧壁上制有形状统一、大小一致、并均匀分布在侧壁的凹凸形状或同种形状的凸起点，利用光学的慢辐射原理，以导流筒本身锥形形状使导流筒侧壁由于凹凸变形和增大了单位面积，改变导流筒内部高温分布。使得钼导流筒不仅在导流降温方面性能提高，更关键处是导流筒中心高温区(单晶棒所处位置)位移到导流筒内壁附近，降低中心区域的温度,从而达到拉晶速度的提升优化。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 生长 导流 加工 工艺 | ||
【主权项】：
一种单晶硅生长炉钼导流筒，具有一个金属钼板制成的锥形筒(1)，其特征是在锥形筒(1)侧壁制有均匀分布的凸起点或交替均匀分布的凹槽和凸起点。
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