[发明专利]动态随机存取存储器及其制造方法有效
申请号: | 201710564443.7 | 申请日: | 2017-07-12 |
公开(公告)号: | CN109256382B | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 竹迫寿晃;陈皇男;张维哲 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种动态随机存取存储器及其制造方法,包括:衬底、多个隔离结构、多个字线组、多个位线结构、多个间隙壁、多个电容器以及多个电容器接触窗。隔离结构位于衬底中,以将衬底分隔成多个有源区。有源区被配置成带状且排列成一阵列。字线组沿着Y方向平行配置于衬底中。位线结构沿着X方向平行配置于衬底上,且横越字线组。间隙壁沿着X方向平行配置于位线结构的侧壁上,其中间隙壁包括氧化硅。电容器分别配置于有源区的长边的两端点上。电容器接触窗分别位于电容器与有源区之间。 | ||
搜索关键词: | 动态 随机存取存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种动态随机存取存储器,其特征在于,所述动态随机存取存储器包括:多个隔离结构,位于衬底中,以将所述衬底分隔成多个有源区,所述有源区被配置成带状且排列成一阵列;多个字线组,沿着Y方向平行配置于所述衬底中;多个位线结构,沿着X方向平行配置于所述衬底上,且横越所述字线组;多个间隙壁,沿着所述X方向平行配置于所述位线结构的侧壁上,其中所述间隙壁包括氧化硅;多个电容器,分别配置于所述有源区的长边的两端点上;以及多个电容器接触窗,分别位于所述电容器与所述有源区之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的