[发明专利]一种背腐蚀切割MEMS硅晶圆片的方法在审
| 申请号： | 201710549657.7 | 申请日： | 2017-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN109205552A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 韩宁;王颖;周新愿;陈运法 | 申请（专利权）人： | 中国科学院过程工程研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种背腐蚀切割MEMS硅晶圆片的方法，所述方法主要为：在MEMS硅晶圆片背面采用干法刻蚀与湿法腐蚀相结合方式，制备隔热腔的同时，对MEMS硅晶圆片进行背腐蚀形成腐蚀结构。具体步骤为：(1)在MEMS硅晶圆片背面进行光学曝光，显影得到切割线；(2)以光刻胶作为掩膜在MEMS硅晶圆片背面进行干法刻蚀，然后去除光刻胶；(3)以步骤(2)中未被干法刻蚀去除的复合层作为掩膜，对MEMS硅晶圆片背面进行湿法腐蚀，得到隔热腔和腐蚀结构。本发明的方法可以有效避免机械切割和激光切割过程中产生的表面损伤、碎屑污染等问题，成品率高，具有良好的经济性和便捷性。 | ||
| 搜索关键词： | 硅晶圆片 腐蚀 干法刻蚀 背面 湿法腐蚀 隔热腔 光刻胶 掩膜 去除 切割 激光切割过程 表面损伤 机械切割 结合方式 碎屑污染 便捷性 成品率 复合层 切割线 显影 制备 曝光 | ||
【主权项】：
1.一种背腐蚀切割MEMS硅晶圆片的方法，其特征在于，所述方法主要为：在MEMS硅晶圆片背面制备隔热腔的同时，对MEMS硅晶圆片进行背腐蚀形成腐蚀结构。
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