[发明专利]基板液处理方法和基板液处理装置有效
| 申请号： | 201710543742.2 | 申请日： | 2017-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN107591345B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 小佐井一树;大塚贵久;篠原和義;铃木启之;八谷洋介;东博之 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板液处理方法和基板液处理装置。能够稳定地抑制水痕等微少微粒的产生。基板处理方法包括以下步骤：向旋转的基板供给处理液的步骤(S12、S13)；在供给处理液的步骤(S12、S13)之后，向旋转的基板的中心部供给冲洗液来在基板上形成冲洗液的液膜的步骤(S14)。具有在形成冲洗液的液膜的步骤(S14)之前、在处理液的液膜中断了的基板的周缘部形成处理液的液膜的步骤(S13)。 | ||
| 搜索关键词： | 基板液 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种基板液处理方法，包括以下步骤：向旋转的基板的中心部供给处理液；以及在供给所述处理液的步骤之后，向旋转的所述基板的中心部供给冲洗液来在所述基板上形成所述冲洗液的液膜，其中，该基板液处理方法具有在形成所述冲洗液的液膜的步骤之前、在所述处理液的液膜中断了的所述基板的周缘部形成所述处理液的液膜的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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