[发明专利]基板液处理方法和基板液处理装置

说明书

本发明提供一种基板液处理方法和基板液处理装置。能够稳定地抑制水痕等微少微粒的产生。基板处理方法包括以下步骤：向旋转的基板供给处理液的步骤(S12、S13)；在供给处理液的步骤(S12、S13)之后，向旋转的基板的中心部供给冲洗液来在基板上形成冲洗液的液膜的步骤(S14)。具有在形成冲洗液的液膜的步骤(S14)之前、在处理液的液膜中断了的基板的周缘部形成处理液的液膜的步骤(S13)。

技术领域

本发明涉及一种对基板供给处理液和冲洗液来进行液处理的技术。

背景技术

为了对半导体晶圆等基板实施药液处理和冲洗处理等液处理，一般采用使被保持为水平姿势的基板绕铅垂轴线旋转且对基板的处理面的中央部附近供给DHF(DilutedHydroFluoric acid：稀氢氟酸)等处理液、DIW(DeIonized Water：去离子水)等冲洗液的方法(例如参照专利文献1)。在该方法中，被供给到基板的中央部附近的处理液、冲洗液由于离心力而扩散，扩散了的处理液、冲洗液覆盖基板的处理面，由此进行药液处理和冲洗处理。

在进行上述的药液处理的情况下，以对基板整体均匀地进行液处理为目的，来设定处理液的流量和供给处理液时的基板的转速。

已知当半导体晶圆等的表面上形成的电路微细化时，微小的微粒会成为问题。近年来，由于变得能够测定微小的微粒，因此能够看见以往看不见的微粒。而且，本案发明人发现这样的微粒是由于水痕而引起的，容易产生在基板周缘部。

专利文献1：日本特开2009-59895号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明提供一种能够稳定地抑制水痕(water mark)等微少微粒(particle)的产生的技术。

用于解决问题的方案

本发明的一个方式涉及一种基板液处理方法，所述基板液处理方法包括以下步骤：向旋转的基板的中心部供给处理液；以及在供给处理液的步骤之后，向旋转的基板的中心部供给冲洗液来在基板上形成冲洗液的液膜，其中，该基板液处理方法具有在形成冲洗液的液膜的步骤之前、在处理液的液膜中断了的基板的周缘部形成处理液的液膜的步骤。

本发明的其它方式涉及一种基板液处理装置，所述基板液处理装置具备：基板保持部，其保持基板并使该基板旋转；处理液供给部，其向由基板保持部保持的基板供给处理液；冲洗液供给部，其在通过处理液供给部供给处理液之后，向由基板保持部保持的基板供给冲洗液来在基板上形成冲洗液的液膜；以及控制部，其控制基板保持部、处理液供给部和冲洗液供给部，其中，控制部在形成冲洗液的液膜之前在处理液的液膜中断了的基板的周缘部形成处理液的液膜。

发明的效果

根据本发明，能够稳定地抑制水痕等微少微粒的产生。

附图说明

图1是表示具备本发明的实施方式所涉及的处理单元的基板处理系统的概要的俯视图。

图2是表示处理单元的概要的纵剖侧视图。

图3是例示处理单元和控制部的具体的结构的图。

图4是表示液处理流体只遍及晶圆的处理面的一部分地形成液膜的例子的截面图。

图5是表示液处理流体遍及晶圆的处理面的整个区域地形成液膜的例子的截面图。

图6是基板液处理方法的流程图。

图7是表示第一药液处理步骤、第二药液处理步骤和冲洗处理步骤中的晶圆转速、时间和液体供给流量的关系的曲线图。