[发明专利]薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列面板

摘要

提供了一种薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列面板。所述薄膜晶体管包括半导体层、栅电极和绝缘层。半导体层包括源电极、漏电极以及设置在源电极和漏电极之间的沟道部。栅电极设置在沟道部上，并且沿与半导体层的沟道长度方向交叉的方向延伸。绝缘层包括设置在栅电极和沟道部之间的第一区域以及连接到第一区域且从第一区域沿与栅电极的延伸方向相同的方向延伸的第二区域。源电极或漏电极的氢含量在比绝缘层的第二区域的氢含量大大约10％的最大氢含量与比绝缘层的第二区域的氢含量小大约10％的最小氢含量之间的范围内。

主权项

一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：半导体层，包括源电极、漏电极以及设置在所述源电极和所述漏电极之间的沟道部；栅电极，设置在所述沟道部上，并且沿与所述半导体层的沟道长度方向交叉的方向延伸；以及绝缘层，包括设置在所述栅电极和所述沟道部之间的第一区域以及连接到所述第一区域且从所述第一区域沿与所述栅电极的延伸方向相同的方向延伸的第二区域，其中，所述源电极的氢含量或所述漏电极的氢含量在比所述绝缘层的所述第二区域的氢含量大10％的最大氢含量与比所述绝缘层的所述第二区域的氢含量小10％的最小氢含量之间的范围内。