[发明专利]热耗散装置和包含其的半导体封装装置有效
申请号: | 201710531555.2 | 申请日: | 2017-07-03 |
公开(公告)号: | CN108074889B | 公开(公告)日: | 2020-03-20 |
发明(设计)人: | 邱彬鸿;钟玉丽;苏淑玲;林忆慈 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/31 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 萧辅宽 |
地址: | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种热耗散装置包含主体和支撑部件。所述主体具有上表面、与所述上表面相对的下表面和侧表面。所述主体界定延伸穿过所述主体的注入孔洞,且包含从所述上表面突出且邻近所述注入孔洞的内环,和从所述上表面突出且邻近所述侧表面的外环。所述支撑部件连接到所述主体的所述侧表面。所述内环的上表面高于所述外环的上表面。所述主体的所述内环与所述上表面之间的第一交点高于所述主体的所述外环与所述上表面之间的第二交点。 | ||
搜索关键词: | 耗散 装置 包含 半导体 封装 | ||
【主权项】:
1.一种热耗散装置,包括:主体,其具有上表面、与所述上表面相对的下表面和侧表面,所述主体界定延伸穿过所述主体的注入孔洞,且所述主体包含内环和外环,所述内环从所述上表面突出且邻近所述注入孔洞,所述外环从所述上表面突出且邻近所述侧表面;以及支撑部件,其连接所述主体的所述侧表面,其中所述内环的上表面高于所述外环的上表面,且所述主体的所述内环与所述上表面之间的第一交点高于所述主体的所述外环与所述上表面之间的第二交点。
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