[发明专利]共面型薄膜晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201710491023.0 | 申请日： | 2017-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN107316907A | 公开（公告）日： | 2017-11-03 |
| 发明（设计）人： | 张俊;王海宏;邢志民;孙俊豪;焦峰 | 申请（专利权）人： | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司;南京中电熊猫平板显示科技有限公司;南京华东电子信息科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/45;H01L27/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210033 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种共面型薄膜晶体管，包括覆于基板上的栅极；覆于栅极上的栅极绝缘层；覆于栅极绝缘层上的源极和漏极，位于源极和漏极之间的沟道区，源极和漏极为两层结构，底层为铜层，顶层为钛层，钛层位于铜层上且部分位于沟道区侧面；沟道区内设有半导体层，钛层与半导体层接触，钛层包括钛阻挡层，钛阻挡层隔离铜层和半导体层。本发明解决了沟道区处铜层与半导体层接触的问题，避免了铜原子向半导体层扩散，从而起到隔离铜和半导体层的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 共面型 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种共面型薄膜晶体管，包括：栅极(2)；源极；漏极；以及沟道区(7)，位于源极和漏极之间；其中，所述源极和漏极均包括位于底部的铜层(41)、以及位于所述铜层(41)上方且部分位于所述沟道区(7)侧面的钛层(42)；所述沟道区(7)内设有半导体层(5)，所述钛层(42)与所述半导体层(5)接触。
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