[发明专利]半导体存储器装置及其操作方法有效
| 申请号： | 201710488355.3 | 申请日： | 2017-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN107871515B | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 洪龙焕;金炳烈 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C8/08 | 分类号： | G11C8/08 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹;王朋飞 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文提供了一种半导体存储器装置和操作该半导体存储器装置的方法。半导体存储器装置包括存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；外围电路，其被配置为对多个存储器单元中被选择的存储器单元执行包括多个编程循环的编程操作；以及控制电路，其被配置为控制外围电路，使得在各编程循环的预设时间段期间，施加到与选择的存储器单元联接的选择的字线的编程电压从编程开始电压阶梯式地增加阶跃电压直到目标编程电压，其中阶跃电压是所述编程电压的电压增量的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器装置，其包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；外围电路，其被配置为对所述多个存储器单元中被选择的存储器单元执行包括多个编程循环的编程操作；以及控制电路，其被配置为控制所述外围电路，使得在各编程循环的预设时间段期间，被施加到与选择的存储器单元联接的选择的字线的编程电压从编程开始电压阶梯式地增加阶跃电压直到目标编程电压，其中阶跃电压是所述编程电压的电压增量。
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