[发明专利]一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置有效
申请号: | 201710488335.6 | 申请日: | 2017-06-23 |
公开(公告)号: | CN107195665B | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
发明(设计)人: | 郭玉珍;董学;王海生;吴俊纬;曹学友;刘英明;丁小梁;郑智仁 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 11291 北京同达信恒知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郭润湘<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置,包括:衬底基板、压敏结构、多个双栅晶体管和多个像素用晶体管;压敏结构包括依次设置在衬底基板上的第一电极层、压敏层和第二电极层,第二电极层包括与各双栅晶体管一一对应设置的多个第二电极,使得压敏层无需进行图案化处理,从而可以简化阵列基板的制作工艺;且双栅晶体管和像素用晶体管设置于第二电极层之上,使得在制作阵列基板时可以同时制作,有效减少mask的使用数量,简化制作工艺,降低制作成本;由于各第二电极分别与对应双栅晶体管中的底栅电极电连接,使得通过压敏结构与双栅晶体管的设置,可以实现对压力的检测,提高压力检测的灵敏度和精确度。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 制作方法 显示 面板 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底基板、压敏结构、多个双栅晶体管和多个像素用晶体管;其中,/n所述压敏结构包括依次设置在所述衬底基板上的第一电极层、压敏层和第二电极层;所述第二电极层包括位于所述第二电极层背离所述衬底基板一侧且与各所述双栅晶体管一一对应的多个第二电极;/n所述双栅晶体管和所述像素用晶体管设置于所述第二电极层之上;且各所述第二电极分别与对应所述双栅晶体管中的底栅电极电连接。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的