[发明专利]一种校准堆外核测电离室的方法

摘要

本发明公开了一种校准堆外核测电离室的方法，先进行设定校准条件，当δ1(k)≥5％FP或δ2(k)≥3％FP时，需要重新计算校准系数；再计算每个通道等效上段电流IH(k)和下段电流IB(k)，计算堆外轴向偏移AOex(k)，计算关系式系数a(k)、b(k)、K(k)，计算每个通道的校准系数α(k)、KH(k)和KB(k)，对结果进行验证，满足要求后输出结果，利用热功率与电离室等效上段、下段电流之和存在的线性关系以及堆外轴向偏移和堆内轴向偏移之间存在的线性关系，计算堆外核测的校准系数，其弥补了堆外核测不能真实反映堆芯中子通量分布的缺陷，减小了探测器灵敏度消耗和仪表漂移对测量结果的影响，使堆外核测中子通量的测量更加符合实际的中子通量分布情况。

主权项

一种校准堆外核测电离室的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)设定校准条件：在测定热功率Pth条件下，计算得到堆内轴向偏移AOin，利用下述公式计算堆内轴向功率偏差ΔIin：ΔIin＝AOin*Pth/100，其中热功率Pth单位为％FP；对每个通道堆外探测器分别求出偏差：δ1(k)＝|Pth–Pr(k)|，δ2(k)＝|ΔIin–ΔI(k)|，其中Pr(k)为堆外核测计算得到的通道核功率，k＝1～4，ΔI(k)为堆外核测计算得到的通道轴向功率偏差，k＝1～4，当δ1(k)≥5％FP或δ2(k)≥3％FP时，需要重新计算校准系数，直到满足条件；(2)计算过程：(a)计算每个通道等效上段电流IH(k)和下段电流IB(k)：设定电离室的段数为N(其中N＝2、4、6、8……，为2的整数倍)：N＝2时，直接读取上段电流和下段电流；N≥4时，IH(k)＝[I1(k)+I2(k)+……+In(k)]/0.5N；IB(k)＝[In+1(k)+In+2(k)+……+Im(k)]/0.5N；其中上N/2段节电流分别为I1(k)、I2(k)……In(k)，下N/2段节电流分别为In+1(k)、In+2(k)……Im(k)，k＝1～4，其中n为N/2，m为N；(b)计算堆外轴向偏移AOex(k)：AOex(k)＝100*(IH(k)‑IB(k))/(IH(k)+IB(k))(c)计算关系式系数a(k)、b(k)、K(k)：AOex(k)＝a(k)+b(k)*AOin，IH(k)+IB(k)＝K(k)*Pth；(d)计算每个通道的校准系数α(k)、KH(k)和KB(k)：校准系数由下式计算：α(k)＝[1‑(a(k)/100)2]/b(k)；KH(k)＝1/[K(k)(1+a(k)/100)]；KB(k)＝1/[K(k)(1‑a(k)/100)]；(3)结果验证：利用步骤(d)中的校准系数α(k)、KH(k)和KB(k)，验证每个通道δ1(k)和δ2(k)是否均满足：δ1(k)＜5％FP且δ2(k)＜3％FP，若满足，则由试验得到的新刻度系数取代堆外核测系统中功率量程电离室的原始系数；如不满足，需重新校准，直到满足验证；(4)结果输出：利用步骤(3)校准后的校准系数α(k)、KH(k)和KB(k)，以及堆外核测系统功率量程每个通道输出的上段和下段电流信号能够获得每个通道核功率Pr(k)和轴向功率偏差ΔI(k)：Pr(k)＝KH(k)IH(k)+KB(k)IB(k)，ΔI(k)＝α(k)(KH(k)IH(k)‑KB(k)IB(k))。