[发明专利]一种横向恒流二极管在审
| 申请号： | 201710453945.2 | 申请日： | 2017-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN109148551A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 尚帝;潘伟;涂家欣 | 申请（专利权）人： | 乐山尚鼎科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 614000 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体领域，具体的说涉及一种横向恒流二极管。本发明所述横向恒流二极管，通过对传统二极管的阱区进行改进，将传统的P阱设置为由第二P型重掺杂区和P型轻掺杂区重叠构成的阱区，从而可通过轻掺杂的P型区调节表面电场，并辅助耗尽N型阱区，使得击穿电压提高，同时轻掺杂P型区引入更多空穴，使N型阱区浓度相应增大，从而提高了横向恒流二极管的恒定电流；通过重掺杂的P型区缩短沟道长度，从而实现提高恒定电流与提高击穿电压的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 恒流二极管 恒定电流 击穿电压 轻掺杂 阱区 空穴 半导体领域 传统二极管 表面电场 传统的 重掺杂 沟道 耗尽 引入 改进 | ||
【主权项】：
1.一种横向恒流二极管，包括P型衬底(9)、阴极(1)和阳极(11)；所述P型衬底(9)上层的一侧具有第一P型重掺杂区(3)，所述P型衬底上层的另一侧具有N型阱区(8)；所述P型衬底(9)的下表面具有阴极(1)，其上表面具有氧化层(2)；所述N型阱区(8)上层靠近第一P型重掺杂区(3)的一侧具有第一N型重掺杂区(4)，所述N型阱区(8)上层远离第一P型重掺杂区(3)的一侧具有第二N型重掺杂区(7)；所述第二N型重掺杂区(7)上表面具有阳极(11)，所述阳极(11)沿氧化层(2)上表面向靠近第一P型重掺杂区(3)的一侧延伸形成阳极场板(13)；其特征在于，所述N型阱区(8)中还具有第二P型重掺杂区(5)和P型轻掺杂区(6)，所述第二P型重掺杂区(5)位于P型轻掺杂区(6)的上表面；所述第二P型重掺杂区(5)和P型轻掺杂区(6)位于第一P型重掺杂区(3)和第二N型重掺杂区(7)之间；所述第一P型重掺杂区(3)的上表面、第一N型重掺杂区(4)的上表面和第二P型重掺杂区(5)的上表面通过阴极(1)电气连接，阴极(1)沿氧化层(2)的上表面向靠近第二N型重掺杂区(7)的一侧延伸形成阴极场板(12)。
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