[发明专利]一种改善常压化学气相沉积法制备的石墨烯薄膜导电性能的方法在审
| 申请号： | 201710447695.1 | 申请日： | 2017-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN107217239A | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 刘庆渊;苏东艺;彭继华 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学;广州今泰科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/02 | 分类号： | C23C16/02;C23C16/26 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 陈智英 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于石墨烯材料制备的技术领域，公开了一种改善常压化学气相沉积法制备的石墨烯薄膜导电性能的方法。所述方法为(1)将铜箔进行表面清洗处理；(2)将经过处理的铜箔进行高温热处理，高温热处理的条件为氩气的流速为200～500sccm、氢气的流速为0～50sccm，于700～1000℃恒温处理5～7小时；(3)将经过高温热处理的铜箔升温至900～1050℃，通入甲烷进行生长；(4)停止甲烷及氢气的通入，保持氩气的通入，冷却，得到生长于铜片基底的石墨烯薄膜。本发明的方法操作简单，无需添置多余设备，成本低廉，易于操作，使用本方法能够大幅度达到降低石墨烯薄膜方阻，改善其导电性能的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 常压 化学 沉积 法制 石墨 薄膜 导电 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种改善常压化学气相沉积法制备的石墨烯薄膜导电性能的方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)将铜箔进行表面清洗处理；(2)将经过处理的铜箔进行高温热处理，高温热处理的条件为：氩气的流速为200～500sccm、氢气的流速为0～50sccm，于700～1000℃恒温处理5～7小时；(3)在通入氩气和氢气的条件下，将经过高温热处理的铜箔升温至900～1050℃，通入甲烷进行生长；(4)停止甲烷及氢气的通入，保持氩气的通入，冷却，得到生长于铜片基底的石墨烯薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学;广州今泰科技股份有限公司，未经华南理工大学;广州今泰科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710447695.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种带有架梯的手推车
- 下一篇：一种电子器件介电衬底的表面修饰方法
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
