[发明专利]一种改善砷化镓基半导体激光器腔面稳定性的方法在审
| 申请号： | 201710437897.8 | 申请日： | 2017-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN107275921A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 徐雨萌;薄报学;高欣;乔忠良;张晶;李辉 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 一种改善砷化镓基半导体激光器腔面稳定性的方法，属于激光技术领域。该领域已知技术难以有效改善砷化镓基半导体激光器的腔面稳定性，使砷化镓基半导体激光器的性能受到很大限制。本发明依次采用氩气、氢气、氧气、氮气或其混合气体的等离子体及含六氟化硫等离子气氛表面处理砷化镓基半导体激光器腔面，结合真空镀膜或化学气相沉积制备保护膜，然后进行激光器腔面的高反膜或减反膜镀制，形成高功率工作条件下对工作环境气氛稳定的激光器腔面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 砷化镓基 半导体激光器 稳定性 方法 | ||
【主权项】：
一种改善砷化镓基半导体激光器腔面稳定性的方法，其特征在于，通过六氟化硫的等离子气氛表面处理减少砷化镓基半导体激光器腔面的非辐射复合缺陷，从而抑制砷化镓基半导体激光器在高功率工作条件下的腔面温度升高与退化。
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