[发明专利]适用于不同衬底生长图案化氧化锌纳米结构的方法有效
| 申请号： | 201710431266.5 | 申请日： | 2017-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN107170669B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 胡卫华;汪雪辉 | 申请（专利权）人： | 西南大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400715*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适用于不同衬底生长图案化氧化锌纳米结构的方法，在衬底上制备图案化的聚多巴胺薄膜，通过聚多巴胺对氧化锌纳米结构生长的抑制作用，生长成图案化的氧化锌纳米结构。本发明利用聚多巴胺为抑制层，实现了对氧化锌湿化学生长的抑制，结合铁离子激活或氧化锌种子层，通过对聚多巴胺薄膜的图案化，可以在任意惰性衬底上实现氧化锌的图案化生长；在金属或金属氧化物衬底上利用聚多巴胺也可以实现氧化锌的图案化生长。 | ||
| 搜索关键词： | 适用于 不同 衬底 生长 图案 氧化锌 纳米 结构 方法 | ||
【主权项】：
适用于不同衬底生长图案化氧化锌纳米结构的方法，其特征在于，在衬底上制备图案化的聚多巴胺薄膜，通过聚多巴胺对氧化锌纳米结构生长的抑制作用，生长成图案化的氧化锌纳米结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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