[发明专利]接触结构制造方法及半导体装置

摘要

一种接触结构的制造方法，包括形成第一晶体管及第二晶体管于基板上，其中第一晶体管及第二晶体管共享源极/漏极区，源极/漏极区形成于第一晶体管的第一栅极及第二晶体管的第二栅极之间，形成第一开口于层间介电层中，且于第一栅极及第二栅极间，沉积蚀刻停止层于第一开口中，且于层间介电层的顶表面上，沉积介电层于蚀刻停止层上，对介电层施行第一蚀刻工艺，直到露出蚀刻停止层，对蚀刻停止层进行第二蚀刻工艺，直到移除蚀刻停止层的露出部份及介电层的部份。

主权项

一种接触结构的制造方法，其特征在于，包括：形成一第一晶体管及一第二晶体管于一基板上，其中该第一晶体管及该第二晶体管共享一源极/漏极区，该源极/漏极区形成于该第一晶体管的一第一栅极及该第二晶体管的一第二栅极之间；形成一第一开口于一层间介电层中，且于该第一栅极及该第二栅极间；沉积一蚀刻停止层于该第一开口中，且于该层间介电层的一顶表面上；沉积一介电层于该蚀刻停止层上；沉积一光致抗蚀剂层于该介电层上；图案化该光致抗蚀剂层以于该光致抗蚀剂层中形成一第二开口，其中该第二开口的一最外缘与该第一开口的一最外缘对准；对该介电层施行一第一蚀刻工艺，直到露出该蚀刻停止层；对该蚀刻停止层进行一第二蚀刻工艺，直到移除该蚀刻停止层的一露出部份及该介电层的多个部份以形成一第三开口，其中该第三开口的一最大宽度大于该第二开口的一最大宽度；以及以一导电材料填充该第三开口。